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产品信息
特点
•*低的集电*到发射*饱和电压
(蒸气云*(坐)= -0.25v类型。“集成电路/ b = - 400 mA / -毫安)
•适合低电压大电流驱动
•互补配对DN 100
•开关应用
•*低的集电*到发射*饱和电压
(蒸气云*(坐)= -0.25v类型。“集成电路/ b = - 400 mA / -毫安)
•适合低电压大电流驱动
•互补配对DN 100
•开关应用
电气特性(助教= 25°丙)
特征*号测试条件分型。*大单位
集电*-基*击穿电压bvcbo jc = - 50μ一,即= 0 - 15 - 5
集电*发射*击穿电压-集成电路= - 1毫安,b = 0 - 12 - 5
发射*基*击穿电压bvebo即= - 50μ,集成电路= 0 - 5 - 5
集电*电流反向漏电流断路器= - 12伏,即= 0 - - 0.1μ一
发射*截止电流iebo国有= - 5 = 0,集成电路- - 0.1μ一
hfe1轨= - 0 = - 100 mA,集成电路200 - 450—
直流电流增益
hfe2轨= - 0 - 1 = 70,集成电路———
集电*发射*饱和电压(坐)集成电路= - 400 mA,b = - - - - 0.3毫安
基*-发射*饱和电压设备(坐)集成电路= - 400 mA,b = - - - - 1.2毫安
过渡频率英尺下= - 5 - 50 mA,集成电路= - 330兆赫
输出电容芯断路器= - 10 V,即= 0,= 1 MHz - 9 -酮
特征*号测试条件分型。*大单位
集电*-基*击穿电压bvcbo jc = - 50μ一,即= 0 - 15 - 5
集电*发射*击穿电压-集成电路= - 1毫安,b = 0 - 12 - 5
发射*基*击穿电压bvebo即= - 50μ,集成电路= 0 - 5 - 5
集电*电流反向漏电流断路器= - 12伏,即= 0 - - 0.1μ一
发射*截止电流iebo国有= - 5 = 0,集成电路- - 0.1μ一
hfe1轨= - 0 = - 100 mA,集成电路200 - 450—
直流电流增益
hfe2轨= - 0 - 1 = 70,集成电路———
集电*发射*饱和电压(坐)集成电路= - 400 mA,b = - - - - 0.3毫安
基*-发射*饱和电压设备(坐)集成电路= - 400 mA,b = - - - - 1.2毫安
过渡频率英尺下= - 5 - 50 mA,集成电路= - 330兆赫
输出电容芯断路器= - 10 V,即= 0,= 1 MHz - 9 -酮